碳化硅材料(以下简称SiC)，由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，其应用场景十分丰富，是第三代半导体的核心材料；目前由于新能源车以及光伏、特高压等赛道的高景气，SiC在资本市场获得了显著的关注；今天的文章，我们将详细介绍碳化硅在车规角度的供需情况以及产业细节等。

市场需求方面：每家车企预测都很大，几乎都是 30-50 万辆/年，有的达到 100 万辆/年。但合理估计，欧美约 10 家主流厂商，每家约 20-30 万辆/年，总计 200-400 万辆/年；一个晶圆能做6-7 辆车，因此需晶圆产能约 30 万片/年。预计 2025 年汽车市场的需求为 70 万片，2030年约 200 万片。

目前众多车企对 SiC 需求量很大，2024 年 800V 车型基本标配 SiC 作为主驱。

不同参数下，SiC模块的性能展示不一样，实测数据显示：400V 下，SiC 代替 IGBT 效率能提高 3.5%-4%，800V 下能提升 7%-8%；

目前汽车主驱、OBC 的 SiC 模块价格水平到什么水准了？

1）高端车 OBC 的 SiC 模块约 120-150 美元，用十几颗 SiC MOS，每颗 7-8 美元，还

用一些 IGBT，加起来是一百多美元；

2）主推的主驱 SiC 模块方案用 Hybrid PACK，一个模块用 48 颗芯片，考虑到良率和用材较好，如 DBC 的氮化硅、银烧结，成本很贵，售价约 600-700 美元，能供 220kW的电机；

3）OBC 和主驱是使用 SiC 最多的两部分，加起来约 800 美元。

结构方面，主驱模块对应芯片、衬底价值量分布占比情况——芯片占 60%-70%；以 1200V SiC MOS 为例，衬底价值量占约 50%；外延占 20%；Frontend（前道）占 10%-20%；封装占 30%。

目前碳化硅衬底的价值占比最大，也是供应链短板和缺货点。封装成本也包括良率，国产封装厂、纯封装代工厂最大问题在于良率难以控制，折合成本就很高，SiC 芯片贵，因此良率比 IGBT 重要很多。

目前，SiC衬底方面，Wolfspeed 产能最大，占 9 成；安森美去年收购了 GTAT 作为内部供应商做垂直整合，约占 1 成，还有其他供应商在评估，但都是海外供应商。目前衬底还没有国产合格供应商，其产能、良率、一致性都和国际大厂区别较大。

产品认证周期的角度，以 ET7 为例，从 2020 年 6 月立项开始做，到 2022 年 Q1 SOP，大约需要 1.5-2 年。

国产衬底厂商情况：包括天科合达、天岳、三安、露笑科技等，天科、天岳已经有了订单；三安性能和良率不高，科锐良率有 70%及以上，三安只有 50%左右；露笑还需要评估。

器件厂商：三安、斯达、中车、瞻芯、派恩杰，派恩杰和瞻芯小型创业公司比较有潜力，从设计开始投产线，也有车规、工业应用在做；中车不错，有产能就可以自己做模块，但也要找代工；三安规模很大，但只限于二级管还有点市场，可能因为器件设计和良率问题，MOSFET 并不强。

综上的情况来看，目前SIC在车规角度的需求还是十分迫切和旺盛的，但是由于供给角度的不明朗、上游的高壁垒导致了竞争格局的分散，未来这个产业还会出现诸多的黑马和弯道超车的企业；对于国内的企业来说，也是一次难得的时代机遇。